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型号 IPP023NE7N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 75V 120A TO220
IPP023NE7N3 G PDF
代理商 IPP023NE7N3 G
产品目录绘图 MOSFET TO-220(AB), TO-220-3
标准包装 500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 120A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 2.3 毫欧 @ 100A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.8V @ 273µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 206nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 14400pF @ 37.5V
功率 - 最大 300W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 PG-TO220-3
包装 管件
其它名称 IPP023NE7N3 G E8177
IPP023NE7N3 G E8177-ND
IPP023NE7N3 GTR
IPP023NE7N3 GTR-ND
IPP023NE7N3GE8177AKSA1
IPP023NE7N3GXKSA1
SP000641722
SP000938080
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